ウェーハ欠陥検査装置

• Si ウェーハ 欠陥検査装置
• SiCウェーハ 欠陥検査装置
• LT/LNウェーハ欠陥検査装置
• ガラスウェーハ 欠陥検査装置
• ウェーハ パターン 欠陥検査装置

• Si ウェーハ 欠陥検査装置

  光の僅かな変化を捉える光学技術を用いて、ウェーハの欠陥を高速、高感度に検出することが出来る検査装置です。ベアウェーハ、パターン付ウェーハの両方の欠陥検査に対応し、それぞれの欠陥対象に応じて最適な光学系・検出アルゴリズムにより、スピーディ・高感度に欠陥検出を行います。高いスループットにより、従来の抜き取りによる目視検査に代わり、全数検査自動化への推進を実現します。

  

• SiCウェーハ 欠陥検査装置

  SiCを含むワイドバンドギャップ半導体は、電力を制御するパワー半導体の分野で重要視されており、従来のSiパワー半導体に比べて効率が高く、グリーントランスフォーメーション（GX）の実現に貢献します。EVの動力制御に採用されるなど急速な需要増加に備えて、8インチ化も進行する中、Si向けに開発したウェーハ外観検査装置の技術をSiC向けに改良し、お客様の課題解決に貢献します。

  

• LT/LNウェーハ欠陥検査装置

  LT,LNウェーハの主な用途は、スマートフォンなどの無線通信端末に搭載されるSAWデバイスです。このデバイスは音声通信やデータ通信時のノイズや混信を防ぐ特定周波数のフィルターとして不可欠で、製造量の増加や大口径化が見込まれるため、需要は今後も高まり、自動外観検査の重要性も増すと予想されます。

  

• ガラスウェーハ 欠陥検査装置

  ガラスは半導体製造で重要視され、平坦性や平滑性、シリコンとの熱膨張係数の類似性などがニーズを高めています。ウェーハレベルのパッケージ製造やシリコンウェーハの薄化の際にサポート基板として利用され、ガラス貫通電極（TGV）のファインピッチ化により高密度なTGV形成が可能となり、半導体の高性能化に貢献しています。

  

• ウェーハ パターン 欠陥検査装置

  半導体不足は、レガシーノードの供給不足が一因と考えられています。これらは多品種少量生産品で、おもに減価償却された設備で生産されていますが、IoT、自動車EV化、XRなどの次世代デバイスの増加により需要が急増し、生産能力の増強が必要です。私たちは最新のハード/ソフト検査技術を統合した新世代のレガシーノードデバイス検査装置を提供し、お客様の課題解決に貢献します。