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ウェーハ欠陥検査装置

  • Si ウェーハ 欠陥検査装置

    光の僅かな変化を捉える光学技術を用いて、ウェーハの欠陥を高速、高感度に検出することが出来る検査装置です。ベアウェーハ、パターン付ウェーハの両方の欠陥検査に対応し、それぞれの欠陥対象に応じて最適な光学系・検出アルゴリズムにより、スピーディ・高感度に欠陥検出を行います。高いスループットにより、従来の抜き取りによる目視検査に代わり、全数検査自動化への推進を実現します。

    Si ウェーハ 欠陥検査装置
  • SiCウェーハ 欠陥検査装置

    SiCを含むワイドバンドギャップ半導体は、電力を制御するパワー半導体の分野で重要視されており、従来のSiパワー半導体に比べて効率が高く、グリーントランスフォーメーション(GX)の実現に貢献します。EVの動力制御に採用されるなど急速な需要増加に備えて、8インチ化も進行する中、Si向けに開発したウェーハ外観検査装置の技術をSiC向けに改良し、お客様の課題解決に貢献します。

    SiCウェーハ 欠陥検査装置
  • LT/LNウェーハ欠陥検査装置

    LT,LNウェーハの主な用途は、スマートフォンなどの無線通信端末に搭載されるSAWデバイスです。このデバイスは音声通信やデータ通信時のノイズや混信を防ぐ特定周波数のフィルターとして不可欠で、製造量の増加や大口径化が見込まれるため、需要は今後も高まり、自動外観検査の重要性も増すと予想されます。

    LT/LNウェーハ欠陥検査装置
  • ガラスウェーハ 欠陥検査装置

    ガラスは半導体製造で重要視され、平坦性や平滑性、シリコンとの熱膨張係数の類似性などがニーズを高めています。ウェーハレベルのパッケージ製造やシリコンウェーハの薄化の際にサポート基板として利用され、ガラス貫通電極(TGV)のファインピッチ化により高密度なTGV形成が可能となり、半導体の高性能化に貢献しています。

    ガラスウェーハ 欠陥検査装置
  • ウェーハ パターン 欠陥検査装置

    半導体不足は、レガシーノードの供給不足が一因と考えられています。これらは多品種少量生産品で、おもに減価償却された設備で生産されていますが、IoT、自動車EV化、XRなどの次世代デバイスの増加により需要が急増し、生産能力の増強が必要です。私たちは最新のハード/ソフト検査技術を統合した新世代のレガシーノードデバイス検査装置を提供し、お客様の課題解決に貢献します。

    ウェーハ パターン 欠陥検査装置
  • マスクブランクス 欠陥検査装置

    マスクブランクスは、半導体製造におけるフォトリソグラフィプロセスの基盤材料の1つです。フォトリソグラフィは、半導体デバイスの微細なパターンをシリコンウェーハ上に転写するプロセスであり、マスクブランクスはその際に使用されるフォトマスクの元となる材料です。そのため、極めて高精度で欠陥のない表面を持つ必要があり、微細回路パターンの正確な形成を支える重要な要素です。

    マスクブランクス 欠陥検査装置

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