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SiCウェーハ 欠陥検査装置

SiCウェーハ 欠陥検査装置
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SiCを含むワイドバンドギャップ半導体は、電力を制御するパワー半導体の分野で重要視されており、従来のSiパワー半導体に比べて効率が高く、グリーントランスフォーメーション(GX)の実現に貢献します。EVの動力制御に採用されるなど急速な需要増加に備えて、8インチ化も進行する中、Si向けに開発したウェーハ外観検査装置の技術をSiC向けに改良し、お客様の課題解決に貢献します。

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欠陥検査装置の用途

  • SiCウェーハ、SiCエピウェーハの最終外観検査
  • SiCウェーハ製造工程内検査
    • ラップ、研削後検査
    • ポリッシュ後検査

導入検査工程候補

SiCウェーハ 欠陥検査装置 導入検査工程候補

対象の欠陥

  • 表面:スクラッチ、クラック、ディンプル、チッピング、突起、 パーティクル、汚れ、色味、研磨痕、研削痕
  • エピ面:スリップ、ヘイズ、マイクロパイプ、BPD、ダウンフォール、キャロット、ステップバンチング
  • 面内:カーボンインクルージョン、ポリタイプ
  • 裏面:スクラッチ、汚れ
  • 端面(エッジ):チッピング、クラック、汚れ

特長

高速・高感度検査

SiC検査に特化した専用ラインセンサーカメラでのウェーハ全体高速スキャンおよび欠陥抽出

高度な欠陥分類

SiC特有の欠陥である内部欠陥および加工による表出欠陥を高精度に欠陥分類対応

色ムラ検知

従来の検査装置では検知が難しかった表面色ムラ(ポリタイプ欠陥)の検知

1台で表裏面・橋面を検査

1台で表面検査、裏面検査、端面検査のマルチ検査に対応が可能

検査時間の削減

多数カセット仕様(MAX10個)と、6インチ、8インチ兼用仕様により、段取り替えの時間を最小化

仕様

項目 詳細
対応ウェーハサイズ 150mm/200mm
対応ウェーハ SiCウェーハ、SiCエピウェーハ
検査感度 表面:0.3um< ※PSL on Si wafer
端面:1-10μm
面内:1-10μm
スループット 30–90秒 / ウェーハ ※検査要件によって変動
ロードポート・カセット数 Min2~Max10(6,8インチカセット対応)
他機能 アライナー、IDリーダー、GEM対応

サンプル評価

本検査装置を使用して表面の状態や欠陥部分をご確認したいお客様には、対象となるワークサンプルをお借りし、デモ機による事前評価を行うことが可能です。ご要望の際は、お問い合わせにてお気軽にご相談ください。

東京エレクトロンデバイス エンジニアリングセンター東京エレクトロンデバイス
エンジニアリングセンター

〒224-0045
神奈川県横浜市都筑区東方町17番地
クリーンルーム (Class100)クリーンルーム
(Class100)
RAYSENS LABRAYSENS LAB

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用語集

ワイドバンドギャップ半導体
ワイドバンドギャップ半導体とは、従来のシリコン半導体よりもはるかに広いエネルギーバンドギャップを持つ物質から作られた半導体です。この広いバンドギャップにより、ワイドバンドギャップ半導体は高温、高電圧、高周波数環境での使用に適しており、効率的な電力変換と低いエネルギー損失を実現します。

 

SiC
SiC(シリコンカーバイド)とは、シリコンと炭素から成る半導体材料で、高温・高電圧での安定性、高い熱伝導率を特徴とします。これにより、電力変換装置や電気自動車の駆動システム、高耐久性が求められる各種産業での使用が進んでいます。エネルギー効率の向上に貢献し、将来の技術革新に不可欠な素材とされています。

 

パワー半導体
パワー半導体とは、高電圧・大電流を扱う電力変換・制御用の半導体デバイスです。

 

グリーントランスフォーメーション
グリーントランスフォーメーション(Green Transformation、略称:GX)とは、経済や社会が環境に優しい持続可能な形態へと変化するプロセスで、持続可能な開発目標(SDGs)に貢献するための手段としても注目されています。

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