ガラスウェーハ欠陥検査装置

ガラスは半導体製造で重要視され、平坦性や平滑性、シリコンとの熱膨張係数の類似性などがニーズを高めています。ウェーハレベルのパッケージ製造やシリコンウェーハの薄化の際にサポート基板として利用され、ガラス貫通電極（TGV）のファインピッチ化により高密度なTGV形成が可能となり、半導体の高性能化に貢献しています。英語サイトはこちら

欠陥検査装置の用途
対象の欠陥
特長
仕様
サンプル評価
用語集

欠陥検査装置の用途

ガラスウェーハ、ガラスウェーハ（再生）の外観検査
研削後検査
ポリッシュ後検査

導入検査工程候補

対象の欠陥

表面：スクラッチ、パーティクル、バブル、クラック、チッピング、汚れ、メタル残渣、レジスト残渣、研磨痕、研削痕
面内：バブル
裏面：スクラッチ、クラック、汚れ
端面（エッジ）：チッピング、クラック、汚れ

特長

高速・高感度検査

専用ラインセンサーカメラ、専用光源で300mm までのガラスウェーハ全体を高速スキャン、欠陥抽出
光の透過率が高い透明ウェーハにおいても検査ステージの影響を受けずに正確な検査が可能

高度な欠陥分類

ガラスウェーハの表面、裏面の典型的な欠陥を自動で分類

1台で表裏面・橋面を検査

1台で表面検査、裏面検査、端面検査のマルチ検査が可能

パラメータの最適化

良品ウェーハの基準にあわせてパラメータの最適化によりターゲット欠陥の未検出、過検出を抑制

検査時間の削減

多カセット仕様により連続検査を可能にし、カセット交換時間を最小化

仕様

項目	詳細
対応ウェーハサイズ	200mm/300mm
対応ウェーハ	ガラスウェーハ
検査感度	表面：0.3um< ※PSL on Si wafer 端面：1-10μm 面内：1-10μm
スループット	30–90秒 / ウェーハ ※検査要件によって変動
ロードポート・カセット数	Min2～Max4（12inch） Min2～Max 10 （8inch)
他機能	アライナー、IDリーダー、GEM対応

サンプル評価

本検査装置を使用して表面の状態や欠陥部分をご確認したいお客様には、対象となるワークサンプルをお借りし、デモ機による事前評価を行うことが可能です。ご要望の際は、お問い合わせにてお気軽にご相談ください。

東京エレクトロンデバイス
エンジニアリングセンター
〒224-0045
神奈川県横浜市都筑区東方町17番地

クリーンルーム
(Class100)

RAYSENS LAB

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用語集

ファンアウト構造: ファンアウト構造とは、半導体においてチップに対して扇状に配線を広げた構造を指します。これは、半導体チップの端子から配線を引き出すための再配線層をウェーハプロセスを用いて形成することで、微細化によるチップの対応や、入出力数の多いデバイスの供給が可能になります。

TGV: TGV（Through Glass VIA）とは、貫通孔付ガラス基板のことで、半導体デバイスの高機能化、消費電力の低減などにより、シリコンチップを3次元に積層する方法があり、この時に積層したチップ間の信号を上下に導通をとるために微細な多数の貫通孔（VIA）加工が必要になります。似たものにTSV（Through Silicon VIA）がありますが、こちらはシリコン基板に微細孔が加工されています。