ICSCRM 2026

東京エレクトロンデバイスは、2026年9月27日（日）～10月2日（金）に神奈川県横浜市のパシフィコ横浜ノースで開催される「ICSCRM2026」にて株式会社アイテス様ブース内でパネル展示します。 （小間番号：L-4）

当ブースでは、東京エレクトロンデバイスより、SiCベアウェーハの目視検査を高感度・高スループットにて実現する、全自動外観検査装置「RAYSENS」をご紹介します。
また、アイテス様より、UV照射によってSiCウェーハ内の潜在BPDを拡張・可視化する「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーター ITS-SCX100」のパネル展示も実施します。

会期中は、展示のほか最新のSiC関連の論文発表が予定されています。みなさまのご来場を心よりお待ちしています。

■ SiC Latent Defect Inspection System / Bipolar Degradation Simulator “ITS-SCX100”
Significantly improve device development efficiency

Feature

•  UV defect expansion(epi 50um+, 3000A/cm2)
•  PL inspection with defect mapping for UV defect expansion
•  PL observation by laser auto focus
•  Irradiation condition calculator

converts current density into equivalent irradiation intensity 

■SiC bare wafer visual inspection

•  Multi-inspection
  Top / Back / Edge・Notch
•  High sensitivity & throughput
  Sub micron sensitivity / 50 – 150WPH
•  Auto defect classification
  Various type of image processing

  Defect target
  Particle	Protuberance
  Scratch	Color
  Dimple	Polish mark
  Chipping	Grinding mark
  Crack	Thermal slip
  Crystal defect	Haze
  Pin hole	Dirt